荣湃半导体（上海）有限公司成立于２０１７年１月，是一家模拟集成电路设计公司，总部在中国上海张江高科技园区并在深圳和美国得克萨斯州奥斯丁设有分支机构。

公司专注于做模拟集成电路产品，前期集中在以智能分压技术为基础的数字隔离器家族。公司在设计，生产，市场等业务领域拥有一批具有１５年以上工作经验，来自于中国和美国主流ＩＣ公司的业务的骨干，经过多年的研发，荣湃公司有百种型号的数字隔离器产品已经成功推向市场。

目前已经上市的产品有数字隔离器π1xxx & π2xxx系列产品，该系列产品的综合性能远优于目前市场上同级别产品数倍（如传输速度快4倍，工作电流降低3倍，延迟降低1.5倍等），填补了中国数字隔离器芯片领域的产品空白，极大地扩大了隔离器的应用范围。

目前公司已完成近亿元A+轮融资，产品已经设计进华为、中兴、格力、宁德时代、比亚迪等大客户，收到客户一致好评，产品除国内市场外，还远销欧洲与韩国。

1.项目研究背景

电子电力器件广泛用于社会工业的各个领域，传统的功率器件如功率MOSFET，IGBT等基于硅基材料制作，材料的固有特性使器件性能很难进一步提高，SiC材料能带间隙是Si材料的3倍，临界击穿场强是Si材料的15倍，热导率是其3倍，SiC材料的这些特性使其很适合用于设计制作高压，大功率的功率器件，目前国外1200V/1700V SiC MOSFET已经比较成熟，国内相对落后。

荣湃半导体的数字隔离器器，隔离驱动器等IC产品信号链的下游是IGBT，SiC MOSFET等功率器件，电路技术相对成熟，对高压，大功率的SiC MOSFET具有很强的市场需求。 

2. 已具备的研究基础

2.1 实验室平台可满足常规电学特性测试外，可以实现20kV DC/AC/Surge等高压测试，软件方面，具备TCAD，EM，IC设计等响应仿真软件。

2.2 技术团队工艺专家精通半导体制作工艺流程，具有丰富地与代工厂协同开发工艺的经验，在器件耐压理论方面，公司具备较深的技术积累和实际测试经验。

2.3 合作的代工厂，封测厂具备器件制作并测试验证的条件。

3. 项目拟解决的关键问题

3.1 SiC MOSFET器件关键特性研究。

3.2 器件结构优化设计与制作，发表两篇以上相关专利。

4. 项目具体目标

设计并制作验证两款SiC MOSFET，分别针对大功率和高压小功率市场应用，关键参数如下：

   4.1 SiC MOSFET设计制作Ⅰ

   1）最大漏源电压1200V；2）关断漏源电流<200uA；

 3）最大DC漏源电流>50A；4）导通阻抗<50m ohm。

   4.2 SiC MOSFET设计制作Ⅱ

   1）最大漏源电压1200V/1700V；2）关断漏源电流<50uA；

   3）最大DC漏源电流>4A；4）导通阻抗<1 ohm。